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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Compara
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
41
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
37
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
3075
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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