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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Puntuación global
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
41
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
32
Velocidad de lectura, GB/s
10.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1335
2774
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
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