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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB vs Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Puntuación global
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Puntuación global
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.7 left arrow 9.4
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 5.5
    Valor medio en las pruebas
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB Razones a tener en cuenta
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    28 left arrow 41
    En -46% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    41 left arrow 28
  • Velocidad de lectura, GB/s
    10.7 left arrow 9.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 5.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1335 left arrow 1453

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