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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Compara
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1977
3086
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
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