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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
46
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
9.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1959
2776
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2000 CL9 4GB 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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