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Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Compara
Mushkin 991586 2GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Puntuación global
Mushkin 991586 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991586 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991586 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2156
1970
Mushkin 991586 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 999015 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
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