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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2723
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905471-001.A00LF 2GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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