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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
63
En -110% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
3546
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
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