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Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Compara
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Puntuación global
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
63
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
31
Velocidad de lectura, GB/s
7.7
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1130
2447
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
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