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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
41
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
41
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
1512
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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