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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Mushkin 991988 (996988) 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
39
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2388
1881
Mushkin 991988 (996988) 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Mushkin 991988S (996988S) 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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