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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2301
2998
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F4G64CB8HD5N-CG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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