RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Compara
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
41
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
41
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1982
2422
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link