RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.7
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2486
2938
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link