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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2827
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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