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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
37
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3249
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
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