RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
37
En -118% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
17
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3550
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link