RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
37
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.6
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3803
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link