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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2597
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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