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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
37
En -28% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2597
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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