RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
3575
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link