RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
37
En -23% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2154
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link