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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
46
En 20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
46
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2961
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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