RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2336
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link