RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
96
En 61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
96
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
5.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
1211
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link