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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
37
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2987
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
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