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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Compara
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Puntuación global
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
37
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2395
2414
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
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