RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Puntuación global
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
27
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2083
2130
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2X4G64CB88D9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link