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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Puntuación global
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
56
En 52% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
56
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2083
2414
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
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