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Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2083
2698
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
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