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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
36
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
29
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2960
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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