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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3221
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
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