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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3230
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
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