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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2851
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
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