RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2430
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link