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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3166
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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