RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
36
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
19.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
21
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
21.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
19.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
4293
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link