RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
42
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2034
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link