RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3288
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link