RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2436
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link