RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2386
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link