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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En -50% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
5.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
2130
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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