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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
3214
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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