RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Compara
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
36
En -13% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2292
1875
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link