RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
61
71
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.2
2,077.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
71
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
5.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
1344
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link