RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
61
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
2,077.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
49
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
10.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
2302
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link