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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Compara
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Puntuación global
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Puntuación global
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
61
En -135% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
2,077.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,835.2
12.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,077.3
6.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
606
1970
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
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