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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
28
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1578
3250
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Jinyu 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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