RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
72
En -132% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
3130
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link