RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
72
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2221
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link