RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
72
En -76% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,938.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
72
41
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,938.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
677
2154
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link